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行业新闻什么是场效应晶体管?场效应晶体管的几点选择技巧
场效应晶体管（FET）是一种类型的晶体管，使用一个电场来控制的流动电流在半导体。场效应晶体管是具有三个端子的器件：源极、栅极和漏极。FET通过向栅极施加电压来控制电流的流动，从而改变漏极和源极之间的电导率。场效应晶体管也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型的操作。也就是说，场效应晶体管在其操作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。
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行业新闻首次采用GAA技术 台积电2nm芯片将于2025年投产
在实现3nm工艺上的突破后，台积电似乎对2nm工艺变得更加有信心。台积电在4月14日第一季度的电话会议上表示，正全力以赴地开发下一代芯片制造工艺。目前这个半导体巨头计划在下半年量产3nm工艺芯片。其2nm工艺芯片最早将会在2025年投产。
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行业新闻远远不及预期 外媒报道三星3nm良率仅10%-20%
继台积电宣布今年下半年将开启3nm芯片量产之后，三星3nm制程芯片已经开始试产。韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。
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行业新闻韩国光刻胶库存告急 跌至“马奇诺防线”以下
据韩国科技媒体ETnews报道，半导体光刻胶的供需进入紧急状态，库存量降到了“马奇诺防线”——3个月水平以下。造成的原因是因为以半导体成熟制程需求大幅增加，但是光阻剂的供给却没有同样提升，这也使得向来依赖日本厂商供应甚深的韩国半导体产业，迄今一直无法自给自足的结果。
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行业新闻2021年全球半导体销售额增长26% 三星居榜首
市场研究机构Gartner周四发布的报告显示，2021年全球半导体市场销售额同比增长26.3％，至5950亿美元，三星居榜首力压英特尔重夺第一。
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行业新闻投资3.2万亿卢布!俄罗斯宣布半导体计划2030年实现28nm芯片国产
据报道，俄罗斯因与乌克兰的战争而受到世界大部分地区的排斥和制裁，因此俄罗斯正在制定计划以重振其陷入困境的国产半导体制造，因为它无法从通常的供应商那里获得芯片。俄罗斯已经制定了庞大的芯片替代计划，希望在2030年前投资3.19万亿卢布，约合2464亿人民币实现28nm工艺的芯片设计及制造。
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行业新闻三星电子无偿向中小企业转让半导体等领域的276项技术
据中国国际贸易促进委员会转载《东亚日报》消息称，三星电子将向中小企业无偿转让276项半导体技术等。
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行业新闻汽车芯片IDM测试外包扩大 日月光今年产能利用率有望维持高档
在汽车芯片IDM外包订单扩大和芯片制造客户长期产能利用承诺的支持下，OSAT龙头日月光科技有望在2022年全年保持高产能利用率。
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行业新闻意法半导体推出下一代卫星用2.5V抗辐射加固数模转换器
中国意法半导体RHRDAC121抗辐射加固数模转换器 (DAC)的最低工作电压为 2.5V，适用于老式 3.3V数模转换器不支持的现代低功耗系统设计。
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行业新闻2780亿元!力积电于铜锣兴建12英寸晶圆厂 预计2023年第三季度投产
近日，台湾地区晶圆代工厂力积电举行了上梁仪式，以庆祝其在新竹科技园区铜锣园区新的12英寸工厂建成。力积电铜锣新厂的设计采高规格环保标准，厂区的废水回收率超过85%，并在厂内安装太阳能发电及储能设施、绿电规划容量7500kW，总产能每月10万片12英寸晶圆，制程技术涵盖1x到50nm，堪称是成熟制程半导体芯片最大最新的制造基地。
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