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恩智浦NXP推出新的射频功率器件顶部冷却封装技术
恩智浦半导体NXP宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列,其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性,同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片模块系列与全新的射频功率器件顶部冷却解决方案相结合,不仅有助于将无线电产品的厚度和重量减少20%以上,而且还可以减少5G基站制造和部署的碳足迹。
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4月全球芯片销售额下降逾20% 预计2024年将会反弹
根据道琼斯公司旗下财经网站MarketWatch的报道,全球芯片销售额在4月份下降了超过20%。
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英飞凌Infineon推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC
如今,3.3 kW的开关电源(SMPS)通过采用图腾柱PFC级中的超结(SJ硅)功率MOSFET和碳化硅(SiC)功率MOSFET,以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化镓(GaN)功率开关等最新技术,使得功率密度可以达到100 W/inch3。PFC和DC-DC的数字控制与出色的栅极驱动解决方案一样,对于提高能效和增强鲁棒性至关重要。为了满足最新的设计和应用需求,英飞凌科技股份公司推出了新一代双通道电气隔离EiceDRIVER™栅极驱动器IC产品系列。
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瑞萨电子宣布完成Panthronics收购 获得其NFC技术
近日,日本半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布已经收购专注于高性能无线产品的无晶圆厂半导体公司Panthronics AG。同时,瑞萨电子还发布了13项“成功产品组合”解决方案设计,将瑞萨电子的产品与Panthronics的近场通信(NFC)技术相结合,延展了瑞萨电子产品阵容的广度和深度。
标签: Panthronics 瑞萨电子
发布时间: 2023年6月6日 17:56 阅读量: 561
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格芯和意法半导体合建12英寸晶圆厂 法国将提供29亿欧元补贴
法国经济部长勒梅尔6月5日宣布,政府将向意法半导体(STMicroelectronics)公司和格芯(GlobalFoundries)公司在格勒诺布尔附近的克罗勒(Crolles)新半导体工厂提供29亿欧元资助,该项目总额达近75亿欧元。目前相关项目已经获得欧盟批准,欧盟同意在法国援助下推进该项目。
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英飞凌Infineon推出OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列面向汽车应用
飞凌Infineon公司推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET,OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装,相比于其它采用微型封装的器件,具有显著的性能优势。
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Vishay推出厚膜功率电阻器 可选配NTC热敏电阻和PC-TIM
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力,在85 °C底壳温度下,功率耗散达120 W,可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控,预涂相变热界面材料(PC-TIM)提高贴装效率。
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SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成
SK海力士宣布其第五代10纳米工艺1bnm已经完成验证,将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供支持。SK海力士 1bnm工艺将为DDR5提供6.4 Gbps的速度,为HBM3E提供8 Gbps的速度。
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Vishay推出全新ISOA厚膜功率电阻 具有高脉冲处理能力
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力,在85 °C底壳温度下,功率耗散达120 W,可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控,预涂相变热界面材料(PC-TIM)提高贴装效率。
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Infineon英飞凌CALYPSO™ move安全存储器采用开放式标准
为了破解这一发展难题,英飞凌科技股份公司推出了CALYPSO™ move安全存储器,可用于打造符合Calypso® 基础规范的、简单易用的非接触式票务解决方案,让制造商无须使用磁条、条形码和专门票据,就能满足各交通运营商和主管部门的特定要求,这在同类产品中尚属首次。