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媒体报道安森美韩国工厂扩建完工 预计2025年产量达100万片
近日，安森美宣布，其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200 mm SiC晶圆。
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媒体报道8.3亿美元！英飞凌完成收购氮化镓系统公司 (GaN Systems)
随着5G技术的普及和应用，氮化镓在射频器件、光电子器件等领域的需求不断增加。氮化镓器件具有高频率、高功率、低损耗等优点，被广泛应用于无线通信、汽车电子、工业自动化等领域。同时，氮化镓材料的价格也在逐渐下降，使得其在市场上更具竞争力。
标签: GaN Systems 英飞凌
发布时间: 2023年10月25日 14:03 阅读量: 973
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媒体报道东部高科加大SiC、GaN研发
为了支持未来业务增长，韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。
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媒体报道三星预计明年初推出第九代NAND闪存芯片并开始量产
近日，三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
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媒体报道美国宣布三星、SK海力士已获无限期出口豁免
美国商务部工业与安全局(BIS)公布新规，更新对三星和SK海力士的一般授权，将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”(VEUs)。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可，即可向其在华工厂提供设备。
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媒体报道西数与铠侠洽谈合并 打造全球最大NAND制造商
西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判，他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。该计划涉及剥离西部数据的闪存业务部门，即将敲定，但细节仍在审议中。如果一切按预期进行，合并将获得日本主要银行的大量财务支持。
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媒体报道消息称台积电日本二厂将生产6纳米芯片
台积电将在熊本第二工厂量产6纳米芯片，总投资额约为2万亿日元，日本经济产业省考虑最多提供9000亿日元左右的资金支援。第二工厂投资总额可能高达约2万亿日元，或成为日本重要的半导体生产据点。
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媒体报道三星计划于2025年推出新一代内存HBM4
三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。
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媒体报道瑞萨电子收购Sequas已获CFIUS批准
近日，瑞萨电子成功获得了美国外国投资委员会(CFIUS)的批准，这标志着他们即将完成对法国蜂窝物联网芯片制造商Sequans的收购交易。
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