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全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)加入了国际企业倡议“RE100(100% Renewable Electricity)”*，该倡议的目标是业务运营过程中所用电力100%使用可再生能源。
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英飞凌科技股份公司近日宣布推出完备的电源管理解决方案，为基于英特尔Sapphire Rapids处理器(CPU)的计算服务器提供支持。这款采用“表面贴装”技术的新解决方案集成了多种英飞凌电源管理器件和技术，包括XDP™数字多相控制器、OptiMOS™集成式功率级器件和OptiMOS IPOL稳压器，能够提供出色的电源效率和优异的性能，有助于充分挖掘数据中心的节能潜力，促进绿色低碳发展。
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场效应晶体管（FET）是一种类型的晶体管，使用一个电场来控制的流动电流在半导体。场效应晶体管是具有三个端子的器件：源极、栅极和漏极。FET通过向栅极施加电压来控制电流的流动，从而改变漏极和源极之间的电导率。场效应晶体管也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型的操作。也就是说，场效应晶体管在其操作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。
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继台积电宣布今年下半年将开启3nm芯片量产之后，三星3nm制程芯片已经开始试产。韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。
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据韩国科技媒体ETnews报道，半导体光刻胶的供需进入紧急状态，库存量降到了“马奇诺防线”——3个月水平以下。造成的原因是因为以半导体成熟制程需求大幅增加，但是光阻剂的供给却没有同样提升，这也使得向来依赖日本厂商供应甚深的韩国半导体产业，迄今一直无法自给自足的结果。
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市场研究机构Gartner周四发布的报告显示，2021年全球半导体市场销售额同比增长26.3％，至5950亿美元，三星居榜首力压英特尔重夺第一。
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据报道，俄罗斯因与乌克兰的战争而受到世界大部分地区的排斥和制裁，因此俄罗斯正在制定计划以重振其陷入困境的国产半导体制造，因为它无法从通常的供应商那里获得芯片。俄罗斯已经制定了庞大的芯片替代计划，希望在2030年前投资3.19万亿卢布，约合2464亿人民币实现28nm工艺的芯片设计及制造。
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据中国国际贸易促进委员会转载《东亚日报》消息称，三星电子将向中小企业无偿转让276项半导体技术等。
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在汽车芯片IDM外包订单扩大和芯片制造客户长期产能利用承诺的支持下，OSAT龙头日月光科技有望在2022年全年保持高产能利用率。
