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媒体报道芯片市场回暖 格芯预计四季度利润超预期
在韩国三星电子和SK海力士两大存储芯片巨头相继释放市场回暖信号之后，美国最大的晶圆代工厂格芯也带来了好消息：全球芯片行业过剩情况正在缓解，公司第四季度利润预计好于公司预期。
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媒体报道三星电子拟投资7000亿-1万亿韩元扩大HBM产能
三星电子为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。三星电子计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。
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媒体报道全球半导体需求持续强劲 三季度达1347亿美元
根据美国半导体产业协会（SIA）近日发布的数据，2023年9月份全球半导体销售额环比增长1.9%，同比下降4.5%。2023年第三季度全球半导体销售额总计1347亿美元，较2023年第二季度增长6.3%，较2022年第三季度下降4.5%。
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媒体报道TI宣布位于犹他州的第二座12英寸晶圆厂正式动工
近日，德州仪器(TI)表示，其位于犹他州Lehi的第二座300毫米半导体晶圆厂破土动工。竣工后，TI位于犹他州的两座工厂每天将满负荷生产数千万个模拟和嵌入式处理芯片。
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媒体报道消费电子市场复苏 推动DRAM合约价格上涨
据市调机构发布的数据，普遍应用于个人电脑（PC）的DRAM芯片DDR4 8Gb 2133MHz，10月合约价来到1.5美元，相较9月价格劲涨15.4％。
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媒体报道三星电子Q3利润下滑78% 存储市场明年有望复苏
近日，三星电子公布了2023年Q3财报，销售额67.4047万亿韩元，同比减少12.21%；净收入下降40%至5.5万亿韩元；营业利润2.4336万亿韩元，同比减少了77.57%；当期净利润为5.8441万亿韩元，减少37.76%。
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媒体报道力积电与SBI拟在日本宫城建厂 预计2026年投产
中国台湾半导体代工巨头“力晶积成电子制造”（PSMC）正在与日本SBI控股(SBI Holdings)磋商，计划在宫城县建设半导体工厂。一期工厂将投资约4000亿日元，目标是2026年投产。
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媒体报道SK海力士反对，西数和铠侠合并计划出现新变数
NAND 闪存芯片制造商铠侠（Kioxia）与西部数据（WD）的合并计划目前迎来新变数，SK海力士周四表示其不同意日本铠侠公司和美国西部数据公司间的合并，日美存储芯片企业间交易面临更多不确定性。
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媒体报道SK海力士HBM3E芯片供不应求 明年产能已被预订一空
在第三季度财报电话会议上，SK海力士的一位领导者表示：“我们已经在2023年出售了明年HBM3和HBM3E的所有产量。”此外，其还表示正在与客户就2025年的产能进行谈判。
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媒体报道三星正在与客户就2nm、1.4nm工艺合作进行洽谈
尽管三星电子在3纳米代工业务上比台积电更早量产，但由于接连失去了高通、NVIDIA等大客户，已经落后于台积电。
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