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东部高科加大SiC、GaN研发
为了支持未来业务增长,韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。
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三星预计明年初推出第九代NAND闪存芯片并开始量产
近日,三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品,希望明年初可以实现量产。此外,该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
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美国宣布三星、SK海力士已获无限期出口豁免
美国商务部工业与安全局(BIS)公布新规,更新对三星和SK海力士的一般授权,将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”(VEUs)。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可,即可向其在华工厂提供设备。
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西数与铠侠洽谈合并 打造全球最大NAND制造商
西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判,他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。该计划涉及剥离西部数据的闪存业务部门,即将敲定,但细节仍在审议中。如果一切按预期进行,合并将获得日本主要银行的大量财务支持。
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消息称台积电日本二厂将生产6纳米芯片
台积电将在熊本第二工厂量产6纳米芯片,总投资额约为2万亿日元,日本经济产业省考虑最多提供9000亿日元左右的资金支援。第二工厂投资总额可能高达约2万亿日元,或成为日本重要的半导体生产据点。
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三星计划于2025年推出新一代内存HBM4
三星电子日前表示,计划开始提供HBM3E样品,正在开发HBM4,目标2025年供货。据韩媒,三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示,计划开始提供HBM3E样品,正在开发HBM4,目标2025年供货。
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瑞萨电子收购Sequas已获CFIUS批准
近日,瑞萨电子成功获得了美国外国投资委员会(CFIUS)的批准,这标志着他们即将完成对法国蜂窝物联网芯片制造商Sequans的收购交易。
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Nexperia双通道500 mA RET可实现高功率负载开关
基础半导体器件领域厂商Nexperia(安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关,也可用于功率要求更高的数字电路。
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美光即将发布财报 DRAM产业有望回温
根据台湾媒体《经济日报》的报道,存储器制造商美光将在9月27日公布最新财报。近期,由于DRAM原厂持续严格控制DRAM位元产出率,下半年DRAM库存水平开始逐步下降,而且价格可能最快在今年底全面稳定。